Микросхема M12L2561616A ESMT

Маркировка Производитель Описание микросхемы Корпус Склад Заказ M12L2561616A-AZR1P80WL ESMT Synchronous DRAM 4M x 16 Bit x 4 Banks 54pin TSOP-II M12L2561616A-6TG2A ESMT Synchronous DRAM 4M x 16 Bit x 4 Banks 54pin TSOP-II

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Упаковка: На паллете.

Технические характеристики микросхемы памяти ESMT M12L2561616A

• Назначение....................................................Энергонезависимая память
• Напряжение питания...................................... 3,3В
• Потребляемая мощность..................................1Вт
• Температура рабочая......................................0°C ~ 70°C (TA)
• Вид монтажа..................................................Surface Mount
• Корпус...........................................................54pin TSOP-II
• Производитель...............................................ESMT

Техническая документация на микросхему памяти DRAM ESMT M12L2561616A

Электрические / временные характеристики, описание работы, схема включения и цоколевка микросхемы памяти ESMT M12L2561616A

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Приглашаем на выставку «ЭКСПО Электроника 2024»

Герметичные тактовые кнопки

Цифровые потенциометры AD в SOT23-8

Конденсаторы керамические 10 мкФ и больше

Подстроечные резисторы для торца PCB

Полевые MOSFET транзисторы

Полимерные конденсаторы 270мкФ

Кнопка питания горизонтальная

Все поступления