Микросхема TPS2080DR Texas Instruments

Маркировка Производитель Описание микросхемы Корпус Склад Заказ TPS2080DR Texas Instruments Два MOSFET ключа SOIC8

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 330 мм по 2500 штук микросхем TI TPS2080DR.

Технические характеристики силового ключа Texas Instruments TPS2080DR

• Назначение....................................................Ключ силовой сдвоенный
• Кол-во силовых выходов.................................2
• Номинальный ток............................................500мА
• Максимальный ток..........................................1А
• Напряжение питания......................................2,7...5,5В
• Температура рабочая......................................-0°C ~ 85°C (TA)
• Вид монтажа..................................................Surface Mount
• Корпус...........................................................SO-8, SOIC8
• Производитель...............................................Texas Instruments

Техническая документация на микросхему ключей управления питанием TPS2080 Texas Instruments

Электрические / временные характеристики, описание работы, схема включения и цоколевка микросхемы TPS2080DR

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Приглашаем на выставку «ЭКСПО Электроника 2024»

Герметичные тактовые кнопки

Цифровые потенциометры AD в SOT23-8

Конденсаторы керамические 10 мкФ и больше

Подстроечные резисторы для торца PCB

Полевые MOSFET транзисторы

Полимерные конденсаторы 270мкФ

Кнопка питания горизонтальная

Все поступления