Полевые транзисторы

MOSFET полевые транзисторы SMD

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Максимальное напряжение сток-исток Uси Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. Сопротивление полевого канала Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. Корпус Описание Склад Заказ
IRLML2502TRPBF 1G N-канал 20В 4,2А 0,035Ом 1,25Вт SOT 23
IRLML5203TRPBF 1H P-канал 30В 0,098Ом 1,25Вт SOT 23
IRFR5305TRPBF - P-канал 55В 31А 0,065Ом 110Вт TO-252-3
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 транзисторов.

Два MOSFET ключевых транзистора средней мощности в корпусе SO8

Макировка транзистора Структура Максимальное напряжение сток-исток Uси Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс. Импульсный ток Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс. Корпус Описание Склад Заказ
FDS6982AS N-канал 30В 6,3/8,6А 30/20A 2Вт SO-8
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 2500 изделий.

Диапазон рабочих температур: -55...+150°C

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips