IRF5305PBF MOSFET транзистор

Транзистор IRF5305PBF в корпусе TO-220AB

Наименование Маркировка на корпусе Описание транзистора Склад Заказ
IRF5305PBF1 - MOSFET транзистор в TO-220AB, P-канал, 55 В, 31 А
Цены в формате  .pdf,  .xls

Технические характеристики MOSFET транзистора IRF5305PBF

  • Структура........................................................................p-канал,
  • Максимальное напряжение сток-исток...............................55В
  • Максимальное напряжение затвор-исток...........................20В
  • Максимальный ток сток-исток...........................................28А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0.065 Ом
  • Крутизна характеристики..................................................8
  • Пороговое напряжение включения....................................4В
  • Заряд затвора..................................................................63nC
  • Входная емкость...............................................................1200pF
  • Температура рабочая,......................................................-55°С...+175°С
  • Корпус............................................................................TO-220AB

Транзистор IRF5305PBF имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для пайки в отверстие.

Цоколевка транзистора IRF5305PBF

Цоколевка транзистора IRF5305PBF

Технические характеристики и маркировка транзистора IRFR5305TRPBF

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips