MOSFET транзисторы полевые
Маркировка транзистора
Код маркировки транзистора
Структура транзистора
Максимальное напряжение сток-исток Uси
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.
Сопротивление полевого канала
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.
Корпус
Datasheet транзисторов
Склад
Заказ
IRLML2502TRPBF
1G
N-канал
20В
4,2А
0,035Ом
1,25Вт
SOT 23
IRLML5203TRPBF
1H
P-канал
30В
3А
0,098Ом
1,25Вт
SOT 23
IRLML6401TRPBF
1F
P-канал
12В
4,3А
0,050Ом
1,3Вт
SOT 23
IRFR3505TRPBF
-
N-канал
55В
71А
0,013Ом
140Вт
TO-252-3
IRFR5305TRPBF
-
P-канал
55В
31А
0,065Ом
110Вт
TO-252-3
IRF5305PBF
P-канал
55В
31А
0,065Ом
110Вт
TO-220AB
BSS138PS,115
NZ
Двойной N-канал
60В
0,32А
0,9Ом
0,42Вт
SOT-363
Цены в формате
.pdf ,
.xls
Купить
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 транзисторов.
N канальная сборка MOSFET транзисторов
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 2500 изделий.Диапазон рабочих температур: -55...+150°C
Корпуса MOSFET транзисторов Корпуса MOSFET транзисторов SOT23
Корпуса MOSFET транзисторов TO252-3
Корпуса MOSFET транзисторов SOT363
MOSFET и биполярные транзисторы в SMD корпусах
Наряду с полевыми транзисторами представленными на данной странице, со склада компании поставляются биполярные транзисторы в корпусах SOT23 и SOT363 , высокочастотные транзисторы для поверхностного монтажа , а также транзисторные сборки . К поставке со склада предлагаются дискретные полупроводниковые компоненты широкого применения SMD исполнения: диоды высоковольтные выпрямительные , диоды Шоттки , стабилитроны , светодиоды .
Со склада компании в Москве доступен фототранзистор в BPT-HP133 .
Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.
Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов , применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы .