IRLML6401TRPBF MOSFET транзистор

Транзистор IRLML6401TRPBF в корпусе SOT-23

Наименование Код маркировки транзистора Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ
IRLML6401TRPBF 1F Infineon MOSFET транзистор в SOT-23, P-канал, 12 В, 4,3 А
Цены в формате  .pdf,  .xls

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов IRLML6401TRPBF.

Технические характеристики MOSFET транзистора IRLML6401TRPBF

  • Структура........................................................................P-канал,
  • Максимальное напряжение сток-исток...............................12В
  • Максимальное напряжение затвор-исток...........................8В
  • Максимальный ток сток-исток...........................................4,3А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0.05 Ом
  • Крутизна характеристики.................................................8,6
  • Пороговое напряжение включения....................................1,8В
  • Заряд затвора.................................................................10nC
  • Входная емкость.............................................................830pF
  • Температура рабочая,.....................................................-55°С...+150°С
  • Корпус...........................................................................SOT-23

Транзистор IRLML6401TRPBF имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора IRLML6401TRPBF

Цоколевка транзистора IRLML6401TRPBF

Технические характеристики и маркировка транзистора IRLML6401TRPBF

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips