IRF7389PBF транзистор N MOSFET 30В, 6,3/8,6А

Наименование Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ IRF7389PBF Intersil 2 MOSFET транзистора  в SO-8, N/P-канал, 30 В/-30В 7.3А/-5.3А

Цены в формате  .pdf,  .xls Купить

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук микросхем IRF7389PBF.

Характеристики N/P MOSFET транзистора IRF7389PBF

• Структура.................................................................................N
• Максимальное напряжение сток-исток........................................30В/-30В
• Максимальное напряжение затвор-исток.....................................20В/-20В
• Максимальный ток сток-исток Q1/Q2...........................................7,3/-5,3А
• Сопротивление канала в открытом состоянии Q1/Q2.....................0,023/0,042Ом
• Крутизна характеристики Q1/Q2..................................................14/7,7
• Пороговое напряжение включения Q1/Q2....................................1/-1В
• Заряд затвора Q1/Q2..................................................................22/23nC
• Входная емкость Q1/Q2...............................................................650/710pF
• Температура рабочая,................................................................-55°С...+150°С
• Корпус......................................................................................SO-8

Транзистор IRF7389PBF имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора IRF7389 PBF

Datasheet на транзистор 7389 PBF в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора IRF7389PBF

Корзина

Логин:
Пароль:

Регистрация Забыли свой пароль?

Новые поступления

Приглашаем на выставку «ЭКСПО Электроника 2024»

Герметичные тактовые кнопки

Цифровые потенциометры AD в SOT23-8

Конденсаторы керамические 10 мкФ и больше

Подстроечные резисторы для торца PCB

Полевые MOSFET транзисторы

Полимерные конденсаторы 270мкФ

Кнопка питания горизонтальная

Все поступления