IRFB4310PBF MOSFET транзистор

IRFB4310PbF транзистор N MOSFET 75В, 130А

Наименование Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ
IRFB4310PbF Infineon MOSFET транзистор в TO-220AB, N-канал, 100 В, 130 А
Цены в формате  .pdf,  .xls

Характеристики N MOSFET транзистора IRFB4310PbF

  • Структура........................................................................N-канал,
  • Максимальное напряжение сток-исток...............................100В
  • Максимальное напряжение затвор-исток...........................20В
  • Максимальный ток сток-исток...........................................130А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0,0056 Ом
  • Крутизна характеристики..................................................160
  • Пороговое напряжение включения....................................4В
  • Заряд затвора..................................................................170nC
  • Входная емкость...............................................................7670pF
  • Температура рабочая,......................................................-55°С...+175°С
  • Корпус............................................................................TO-220AB

Транзистор IRFB4310PbF имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для пайки в отверстие.

Цоколевка транзистора IRFB4310PbF

Цоколевка IRFB4310PbF транзистора

Datasheet на транзистор IRFB4310 PbF в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора IRFB4310PbF

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips