IRLR024N MOSFET транзистор

IRLR024N транзистор N MOSFET 55В, 17А

Наименование Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ
IRLR024N Infineon MOSFET транзистор в D-Pak (TO-252AA), N-канал, 55 В, 17 А
Цены в формате  .pdf,  .xls

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 1000 штук транзисторов IRLR024N.

Характеристики N MOSFET транзистора IRLR024N

  • Структура........................................................................N-канал,
  • Максимальное напряжение сток-исток...............................55В
  • Максимальное напряжение затвор-исток...........................20В
  • Максимальный ток сток-исток...........................................17А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0,065 Ом
  • Крутизна характеристики..................................................8,3
  • Пороговое напряжение включения....................................1В
  • Заряд затвора..................................................................15nC
  • Входная емкость...............................................................480pF
  • Температура рабочая,......................................................-55°С...+175°С
  • Корпус............................................................................TO-252AA

Транзистор IRLR024N имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора IRLR024N

Цоколевка транзистора IRLR024N

Datasheet на транзистор IRLR024N в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора IRLML0040TRPBF

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips