Транзистор SI2319CDS T1 GE3

SI2319CDS T1 GE3 транзистор P MOSFET 30В, 5,6А


Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов SI2319CDS T1 GE3
Наименование Код маркировки транзистора Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ
SI2319CDS T1 GE3 P7 Vishay MOSFET транзистор в SOT-23, P-канал, 40 В, 5,6 А
Цены в формате  .pdf,  .xls

Характеристики P MOSFET транзистора SI2319CDS T1 GE3

  • Структура........................................................................P
  • Максимальное напряжение сток-исток...............................30В
  • Максимальное напряжение затвор-исток...........................20В
  • Максимальный ток сток-исток...........................................5,6А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0,054 Ом
  • Крутизна характеристики..................................................10
  • Пороговое напряжение включения....................................-2,5В
  • Заряд затвора..................................................................7nC
  • Входная емкость...............................................................595pF
  • Температура рабочая,......................................................-55°С...+150°С
  • Корпус............................................................................SOT-23

Транзистор SI2319CDS T1 GE3 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Цоколевка транзистора SI2319CDS T1 GE3

Цоколевка SI2319CDS T1 GE3 транзистора

Datasheet на транзистор SI2319CDS T1 GE3 в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора SI2319CDS T1 GE3

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips