SPW20N60C3 MOSFET транзистор

SPW20N60C3 транзистор N MOSFET 600В, 20,7А

Наименование Изготовитель Описание транзистора Склад Заказ
SPW20N60C3 Infineon MOSFET транзистор в TO247, N-канал, 600 В, 20,7 А
Цены в формате  .pdf,  .xls

Характеристики N MOSFET транзистора SPW20N60C3

  • Структура........................................................................N-канал,
  • Максимальное напряжение сток-исток...............................600В
  • Максимальное напряжение затвор-исток...........................30В
  • Максимальный ток сток-исток...........................................20,7А
  • Сопротивление канала в открытом состоянии.....................0,19 Ом
  • Крутизна характеристики..................................................17,5
  • Пороговое напряжение включения....................................2,1В
  • Заряд затвора..................................................................87nC
  • Входная емкость...............................................................2400pF
  • Температура рабочая,......................................................-55°С...+150°С
  • Корпус............................................................................TO247

Транзистор SPW20N60C3 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для пайки в отверстие.

Цоколевка транзистора SPW20N60C3

Цоколевка SPW20N60C3 транзистора

Datasheet на транзистор SPW20N60C3 в формате PDF

Технические характеристики и маркировка транзистора SPW20N60C3

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips