BC857C транзистор

BC857C транзистор маломощный 45В 100мА

Наименование Маркировка на корпусе Описание транзистора Склад Заказ
BC857C 3G n-p-n транзистор в SOT23 45В 100мА 

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов BC857 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора BC857C

  • Структура................................................................................................биполярная, p-n-p
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс........................................................45В
  • Напряжение коллектор база.....................................................................50В
  • Напряжение эмиттер база.........................................................................6 В
  • Ток коллектора, max................................................................................100
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером........420....800*
  • Рассеиваемая мощность...........................................................................330 мВт
  • Граничная частота, не хуже.....................................................................100 МГц
  • Температура рабочая, макс......................................................................+150°С
  • Температура рабочая, мин.......................................................................-55°С
  • Корпус...................................................................................................SOT23

*Со склада поставляются транзисторы с меньшим статистическим коэффициентом передачи тока BC857B. Биполярный n-p-n транзистор BC857B обеспечивает коэффициент передачи тока в диапазоне 200 … 475.

Транзистор BC857С имеет пластмассовый SMD корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора BC857C

Цоколевка транзистора BC857C

Технические характеристики и маркировка транзистора BC857C

Транзисторы в SMD корпусах SOT23, SOT323, SOT89, TO252

Комплементарной парой к p-n-p транзистору BC857C является n-p-n транзистор BC847C. В меньших SMD корпусах поставляются транзисторы с таким же кристаллом, но упакованным в корпус SOT323. Эти миниатюрные транзисторы имеют обозначение BC857CW и BC847CW.

В корпусе SOT23 выпускаются биполярные транзисторы средней мощности на ток до 500мА BC807-40 и n-p-n транзистор BC817-40. Для цепей с напряжение до 300В поставляются транзисторы KST42, MMBTA42LT1, MMBTA92LT1.

В корпусе SOT89 рассеивающим большую мощность поставляются низкочастотные биполярные транзисторы: SS8550 (HEB8550 Unisonic) и SS8050 (HEB8050 Unisonic). Транзисторы допускают ток коллектора 1,5А при напряжении коллектор - эмиттер 25В

Ток в несколько Ампер позволяют коммутировать современные MOSFET транзисторы на полевом эффекте: IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF упакованы в корпус SOT23. Транзистор, позволяющий коммутировать ток свыше 30 А, IRFR5305TRPBF выполнен в корпусе TO 252. В самом маленьком корпусе SOT323 упакован транзистор BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В и максимальным током сток исток 320мA.

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips