Транзистор SMD биполярный

Транзисторы биполярные SMD

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 2 мА и Uкэ 5В fгр (МГц) Корпус PDF Склад Заказ
BC847C 1GW n-p-n 45 В 100 мА 520 - 800 100 SOT23
BC847B 1FW n-p-n 45 В 100 мА 200 - 450 100 SOT23
BC857C 3GW p-n-p 45 В 100 мА 420 - 800 100 SOT23
BC857B 3Ft p-n-p 45 В 100 мА 220 - 475 100 SOT23
BC847BW 1F n-p-n 45 В 100 мА 220 - 475 100 SOT323
BC847CW 1Gt n-p-n 45 В 100 мА 420 - 800 100 SOT323
BC857BW 3F p-n-p 45 В 100 мА 220 - 475 100 SOT323
BC857CW 3G p-n-p 45 В 100 мА 420 - 800 100 SOT323
BC807- 40 5CW p-n-p 45 B 500 мА 250 - 600 100 SOT23
BC817- 40 6СW n-p-n 45 В 500 мА 250 - 600 100 SOT23
MMBT2222A T/R SOT23 M2A n-p-n 40 В 600 мА 75 - 300 300 SOT23
MMBT3904LT1 1AM n-p-n 40 В 200 мА 100 - 300 100 SOT23
MMBT3906LT1 2A p-n-p 40 В 200 мА 100 - 300 100 SOT23
Цены в формате  .pdf,  .xls

Транзисторы биполярные высоковольтные

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 2 мА и Uкэ 5В fгр (МГц) Корпус PDF Склад Заказ
KST42 1D n-p-n 300 B 500 мА > 25 50 SOT23
MMBTA42LT1 1D n-p-n 300 B 500 мА > 25 50 SOT23
MMBTA92LT1 2D p-n-p 300 В 500 мА > 25 50 SOT23
Цены в формате  .pdf,  .xls

Транзисторы средней мощности S8050 и S8550 в SOT89

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура транзистора Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 2 мА и Uкэ 5В fгр (МГц) Корпус PDF Склад Заказ
HE8550LD-AB3-R - p-n-p 25 В 1500 мА 85 - 500 200 SOT89
HE8050GD-AB3-R - n-p-n 25 В 1500 мА 85 - 500 100 SOT89
Цены в формате  .pdf,  .xls

Составной транзистор Дарлингтона с большим усилением по току

Маркировка транзистора Код маркировки транзистора Структура Напряжение К-Э откр. Ток коллектора пост. Коэффициент передачи при Iк 10 мА и Uкэ 3В fгр (МГц) Корпус Описание Склад Заказ
2SD2114K T146W BBW n-p-n 20 В 500 мА 1200 - 2700 350 SOT23
Цены в формате  .pdf,  .xls
Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 транзисторов.

Комплементарные пары NPN и PNP SMDтранзисторов

Транзистор NPNТранзистор PNP
BC847C BC857C
BC847B BC857B
BC847BW BC857BW
BC847CW BC857CW
BC817- 40 BC807- 40
MBT3904LT1 MBT3906LT1
HE8050GD-AB3-R HE8550LD-AB3-R

Биполярные и полевые SMD транзисторы

Наряду с традиционными биполярными полупроводниковыми транзисторами, в последнее время широкое распространение получили полевые MOSFET транзисторы. Эти транзисторы обладают низким сопротивлением канала сток-исток и позволяют управлять большими токами с меньшими потерями. Наряду с полупроводниковыми диодами, транзисторы являются наиболее распространёнными дискретными полупроводниковыми компонентами используемыми при производстве электроники. Полупроводниковые транзисторы для поверхностного монтажа выпускаются в пластмассовых корпусах с расположением выводов предназначенных для пайки оплавлением паяльной пасты. SMD транзисторы упаковываются в пластиковую блистер ленту и наматываются на катушку. Такой способ упаковки удобен не только для хранения и транспортировки, но и идеален для автоматического SMD монтажа SMT Pick and Place автоматами.

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips