MMBT3904LT1 транзистор

MMBT3904LT1 транзистор маломощный 40В 200мА

Наименование Маркировка на корпусе Описание транзистора Склад Заказ
MMBT3904LT1 1AM n-p-n транзистор в SOT23 40В 200мА 

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов MMBT3904LT1 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора MMBT3904LT1

  • Структура................................................................................................биполярная,
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс........................................................40В
  • Напряжение коллектор база.....................................................................50В
  • Напряжение эмиттер база.........................................................................6 В
  • Ток коллектора, max................................................................................200
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером........100....300
  • Рассеиваемая мощность...........................................................................330 мВт
  • Граничная частота, не хуже.....................................................................100 МГц
  • Температура рабочая, макс......................................................................+150°С
  • Температура рабочая, мин.......................................................................-55°С
  • Корпус...................................................................................................SOT23

Транзистор MBT3904LT1 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора MMBT3904LT1

Маркировка и цоколевка транзистора MMBT3904LT1

Технические характеристики и маркировка транзистора MMBT3904LT1

Биполярные транзисторы малой мощности для поверхностного монтажа

Комплементарной парой к n-p-n транзистору MMBT3904LT1 является p-n-p транзистор MMBT3906LT1

В корпусах SOT23 поставляются транзисторы с большим предельно допустимыми характеристиками. Транзисторы BC817-40 и BC807-40 способны работать при токе до 500мА и максимальном напряжении коллектор - эмиттер 45В. Большее максимальное напряжение коллектор-эмиттер имеют транзисторы MMBTA42LT1 и MMBTA92LT1, они способны работать в цепях с напряжением до 300В при максимальном токе коллектора до 500мА.

Для работы в ключевых цепях с током до нескольких Ампер поставляются современные MOSFET транзисторы. Эти транзисторы обладают низким сопротивлением перехода сток-исток. Транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF в корпусах SOT23. Более мощный полевой транзистор IRFR5305TRPBF упакован в корпусе TO 252. В самом маленьком корпусе SOT323 поставляется BSP138PS с максимальным рабочим напряжением 60 В.

Со склада компании поставляются транзисторы с большим значением статистического коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером. Это транзисторы разработки фирмы Philips серии BC847 / BC857. Биполярные транзисторы p-n-p структуры BC857B / BC857C имеют статический коэффициент передачи тока 220 - 475 и 420 – 800 соответственно; транзисторы n-p-n BC847B / BC847C имеют статический коэффициент передачи тока 200 - 450 и 520 – 800.

В более малогабаритный корпус для поверхностного монтажа упакованы транзисторы этой серии с индексом W в маркировке, это транзисторы BC857BW / BC857CW и BT847BW / BC847CW.

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips