MMBT3906LT1 транзистор

MMBT3906LT1 транзистор маломощный 40В 200мА

Наименование Маркировка на корпусе Описание транзистора Склад Заказ
MMBT3906LT1 2A p-n-p транзистор в SOT23 40В 200мА 

Упаковка: В блистр-ленте на катушке диаметром 180 мм по 3000 штук транзисторов MMBT3906LT1 в корпусе SОT23.

Технические характеристики транзистора MMBT3906LT1

  • Структура................................................................................................биполярная,
  • Напряжение коллектор эмиттер, макс........................................................40В
  • Напряжение коллектор база.....................................................................50В
  • Напряжение эмиттер база.........................................................................6 В
  • Ток коллектора, max................................................................................200
  • Статический коэффициент передачи тока, в схеме с общим эмиттером........100....300
  • Рассеиваемая мощность...........................................................................330 мВт
  • Граничная частота, не хуже.....................................................................100 МГц
  • Температура рабочая, макс......................................................................+150°С
  • Температура рабочая, мин.......................................................................-55°С
  • Корпус...................................................................................................SOT23

Транзистор MBT3904LT1 имеет пластмассовый корпус с планарными выводами. Предназначен для автоматического монтажа на поверхность печатной платы.

Маркировка и цоколевка транзистора MMBT3906LT1

Маркировка и цоколевка транзистора MMBT3906LT1

Технические характеристики и маркировка транзистора MMBT3906LT1

Маломощные SMD транзисторы широкого применения в SOT23, SOT323, SOT89

Комплементарной парой к p-n-p транзистору MMBT3906LT1 является n-p-n транзистор MMBT3904LT1

Транзисторы широкого применения представлены популярными полупроводниковыми триодами разработки компании Philips. Это транзисторы серии BC847 / BC857. Они способны работать при вдвое меньшем токе коллекторе, но имеют больший статический коэффициент передачи тока и предельное напряжение коллектор эмиттер. Транзисторы этой серии представлены BC857B / BC857C и BC847B / BC847C в таких же SMD корпусах, как и MMBT3904LT1 / MMBT3906LT1 имеющих обозначение SOT23. В корпусах меньшего размера упакованы транзисторы этой серии с индексом W, они выполнены в корпусе SOT323. Со склада поставляются транзисторы BC857BW / BC857CW и BC847BW / BC847CW.

Больший ток коллектора обеспечивают транзисторы широкого применения BC817-40 и BC807-40 их предельный ток коллектора составляет 500мА при напряжении коллектор - эмиттер 45 В. Для более высоковольтных применений поставляются транзисторы MMBTA42LT1 и MMBTA92LT1, максимальное напряжение коллектор - эмиттер для них составляет 300В.

В низкочастотных усилителях широко используются биполярные транзисторы средней мощности в SOT89, HE8550 и HE8050 они имеют максимальный ток коллектора 1,5 А. В схемах где требуется большой статического коэффициента передачи по току широко используется транзистор Дарлингтона 2SD2114K имеющий значение этого параметра в диапазоне 1200 -2700.

В последние годы для работы в ключевых схемах часто используют современные полевые MOSFET транзисторы IRLML2502TRPBF, IRLML5203TRPBF, IRLML6401TRPBF они способны переключать ток до 3 – 4 А и изготовлены в корпусах для поверхностного монтажа SOT23. В меньшем корпусе SOT323 поставляется BSP138PS, он способен коммутировать ток до 320мА.

Мы надеемся, что вся информация, представленная в каталоге, будет полезна и производителям промэлектроники, и сервисным центрам, и радиолюбителям.

Информация по размерам контактных площадок электронных компонентов, применяемых для разработки, сборки и монтажа печатных плат, находится в разделе Печатные платы.

Murata Kemet Lelon Panasonic AVX Panjit ROHM Philips